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SI8469DB-T2-E1
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI8469DB-T2-E1

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):8V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):-

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):64 毫歐 @ 1.5A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):17nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):900pF @ 4V

功率 - 最大值:780mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:4-UFBGA

供應(yīng)商器件封裝:4-Microfoot


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