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SI2329DS-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI2329DS-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):8V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):30 毫歐 @ 5.3A, 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):29nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1485pF @ 4V

功率 - 最大值:2.5W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)


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