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IRFB9N65APBF
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):IRFB9N65APBF

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):8.5A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):930 毫歐 @ 5.1A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):48nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1417pF @ 25V

功率 - 最大值:167W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB


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