- 產品型號：TPC8123(TE12L,Q,M)
- 制 造 商：東芝半導體（Toshiba）
- 出廠封裝：8-SOP
- 功能類別：單端場效應管
- 功能描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
深圳市諾森半導電子有限公司提供TPC8123(TE12L,Q,M)報價、現貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格，那就馬上與我們聯系吧！
全國統一服務熱線
0755-23735286
全國統一服務熱線
0755-23735286
TPC8123(TE12L,Q,M) >>> 東芝半導體芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供東芝半導體公司TPC8123(TE12L,Q,M)報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！
采購TPC8123(TE12L,Q,M)？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！
東芝半導體公司完整型號：TPC8123(TE12L,Q,M)
制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
描述：MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
系列：-
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Ta）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：9 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：68nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2940pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
在線客服
