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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TK6P60W,RVQ

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：超級結(jié)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：820 毫歐 @ 3.1A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 310μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：390pF @ 300V

功率 - 最大值：60W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：DPAK