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東芝半導體公司完整型號：TK31V60W,LVQ

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：超級結

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：30.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：98 毫歐 @ 15.4A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.5mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：86nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3000pF @ 300V

功率 - 最大值：240W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-VSFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：5-DFN （8x8）