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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：SSM6H19NU,LF

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：2A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：185 毫歐 @ 1A， 8V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：2.2nC @ 4.2V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：130pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：6-UDFN （2x2）