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2SK879-GR(TE85L,F)
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:2SK879-GR(TE85L,F)

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:JFET N-CH USM

系列:-

FET 類型:N 溝道

電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):-

漏源極電壓 (Vdss):-

不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss):2.6mA @ 10V

漏極電流 (Id) - 最大值:-

不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):400mV @ 100nA

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8.2pF @ 10V

電阻 - RDS(開):-

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-70,SOT-323

供應(yīng)商器件封裝:USM

功率 - 最大值:100mW


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