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TI德州儀器公司完整型號：CSD17579Q3AT

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 30V 35A QFN

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：20A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10.2 毫歐 @ 8A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：998pF @ 15V

功率 - 最大值：3.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVDFN

供應商器件封裝：8-VSONP （3x3.15）