- 產品型號：KLUDG8V1EE-B0C1
- 制 造 商：三星半導體（Samsung）
- 出廠封裝：11.5 x 13 x 1.0 mm
- 功能類別：嵌入式存儲器
- 功能描述：SAMSUNG DRAM NAND
深圳市諾森半導電子有限公司提供KLUDG8V1EE-B0C1報價、現貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格，那就馬上與我們聯系吧！
全國統一服務熱線
0755-23735286
全國統一服務熱線
0755-23735286
KLUDG8V1EE-B0C1 >>> 三星半導體芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供三星半導體公司KLUDG8V1EE-B0C1報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！
采購KLUDG8V1EE-B0C1？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！
三星芯片型號：KLUDG8V1EE-B0C1
制造商：SAMSUNG（三星半導體）
功能類別：嵌入式存儲器
版本：UFS 2.1
容量：128GB
工作電壓：1.8/3.3 V
接口：G3 2Lane
封裝尺寸：11.5 x 13 x 1.0 mm
工作溫度：-25 ~ 85 °C
產品狀態：批量生產
在線客服
