- 產(chǎn)品型號：K6T1008V2E-TB7000
- 制 造 商：三星半導體（Samsung）
- 出廠封裝：出廠封裝
- 功能類別：SRAM存儲器IC
- 功能描述：0
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三星半導體完整型號：K6T1008V2E-TB7000
存儲器結(jié)構(gòu)：1M×8
速度：70ns
電源電壓：3.3V
包裝：TSOP
環(huán)保標準：
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