- 產品型號：STGWT60H65DFB
- 制 造 商：ST（意法半導體）
- 出廠封裝：TO-3P
- 功能類別：單路IGBT
- 功能描述：IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
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ST意法半導體公司完整型號：STGWT60H65DFB
制造廠家名稱：STMicroelectronics
描述：IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
系列：-
IGBT 類型：溝道和場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A
Current - Collector Pulsed (Icm)：240A
不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2V @ 15V，60A
功率 - 最大值：375W
Switching Energy：1.09mJ （開）， 626μJ （關）
輸入類型：標準
Gate Charge：306nC
25°C 時 Td（開/關）值：51ns/160ns
Test Condition：400V, 60A, 5 歐姆, 15V
反向恢復時間 (trr)：60ns
封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-3P
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