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ON安森美半導體完整型號：NVMD6N03R2G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

系列：-

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：32 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：950pF @ 24V

功率 - 最大值：1.29W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOIC