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ON安森美半導(dǎo)體完整型號：NTD5865N-1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：43A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1261pF @ 25V

功率 - 最大值：52W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3