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ON安森美半導體完整型號：NGTB40N60FL2WG

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 80A 366W TO247

系列：-

IGBT 類型：溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A

Current - Collector Pulsed (Icm)：160A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2V @ 15V，40A

功率 - 最大值：366W

Switching Energy：970μJ（開）， 440μJ（關）

輸入類型：標準

Gate Charge：170nC

25°C 時 Td（開/關）值：84ns/177ns

Test Condition：400V, 40A, 10 歐姆, 15V

反向恢復時間 (trr)：72ns

封裝/外殼：TO-247-3

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247