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ON安森美半導體完整型號：NDD04N60Z-1G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4.1A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 2A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：640pF @ 25V

功率 - 最大值：83W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應商器件封裝：I-Pak