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EC4406C-TL-H
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: EC4406C-TL-H
制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡述: MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4
系列: -
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動
漏源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 200mA(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 2.9 歐姆 @ 100mA,4V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 1nC @ 4V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 26pF @ 20V
功率 - 最大值: 150mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 4-UFDFN
供應(yīng)商器件封裝: 4-ECSP1008


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