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2SJ652-RA11
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:2SJ652-RA11

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):28A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):38 毫歐 @ 14A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):80nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4360pF @ 20V

功率 - 最大值:2W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3 整包

供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML


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