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Nexperia公司器件型號：PMDPB30XN,115

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

所屬類別：FET，MOSFET - 陣列-晶體管

系列：-

零件狀態：在售

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：20V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：4A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：21.7nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：660pF @ 10V

功率 - 最大值：490mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

封裝形式：6-UDFN

Nexperia公司標準封裝：DFN2020-6

PMDPB30XN的標準包裝數量(SPQ)：3000 PCS