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NXP恩智浦完整型號：PHKD3NQ10T,518

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

系列：TrenchMOS?

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 1.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：633pF @ 20V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO