- 產品型號:NGD8209NT4G
- 制 造 商:Littelfuse(力特半導體)
- 出廠封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 功能類別:晶體管UGBT單端MOSFET
- 功能描述:IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
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制造商零件編號:NGD8209NT4G
制造商:Littelfuse Inc.
描述:IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
零件狀態:在售
IGBT 類型:-
電壓 - 集射極擊穿(最大值):445V
電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A
脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on):2.3V @ 4.5V,10A
功率 - 最大值:94W
開關能量:-
輸入類型:邏輯
柵極電荷:-
25°C 時 Td(開/關)值:-
測試條件:-
反向恢復時間(trr):-
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應商器件封裝:DPAK