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Infineon英飛凌公司完整型號：SPB18P06P G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：18.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 13.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：860pF @ 25V

功率 - 最大值：81.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2