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Infineon英飛凌公司完整型號：IPD80R1K4CEBTMA1

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：800V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：3.9A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.4 歐姆 @ 2.3A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 240μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：570pF @ 100V

功率 - 最大值：63W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-4， DPak（3 引線 + 接片）

供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3