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Infineon英飛凌公司完整型號(hào): IPB80N06S2L07ATMA3

制造廠家名稱(chēng): Infineon Technologies

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

系列: OptiMOS?

FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平門(mén)

漏源極電壓（Vdss）: 55V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 80A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 6.7 毫歐 @ 60A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 150μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 130nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 3160pF @ 25V

功率 - 最大值: 210W

安裝類(lèi)型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-3-2