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Infineon英飛凌公司完整型號: BSP149H6327XTSA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

系列: SIPMOS

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 耗盡模式

漏源極電壓（Vdss）: 200V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 660mA（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 1.8 歐姆 @ 660mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 400μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 14nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 430pF @ 25V

功率 - 最大值: 1.8W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-261-4，TO-261AA

供應商器件封裝: PG-SOT223-4