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BSO612CV G
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSO612CV G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

系列:SIPMOS

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):3A,2A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):120 毫歐 @ 3A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):340pF @ 25V

功率 - 最大值:2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應商器件封裝:PG-DSO-8


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