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Infineon英飛凌公司完整型號：BSC12DN20NS3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11.3A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 5.7A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：680pF @ 100V

功率 - 最大值：50W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）