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BSB280N15NZ3 G
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):BSB280N15NZ3 G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):150V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):9A(Ta),30A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):28 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 60μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):21nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1600pF @ 75V

功率 - 最大值:57W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:3-WDSON

供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M


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