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IXYS公司完整型號：IXTT10N100D

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.4 歐姆 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2500pF @ 25V

功率 - 最大值：400W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應商器件封裝：TO-268