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IXYS公司完整型號：IXFT18N100Q3

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

系列：HiPerFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：660 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 4mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：90nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4890pF @ 25V

功率 - 最大值：830W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應(yīng)商器件封裝：TO-268