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IXYS公司完整型號：IXFT12N100Q

制造廠家名稱：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

系列：HiPerFET?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.05 歐姆 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 4mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：90nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2900pF @ 25V

功率 - 最大值：300W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應(yīng)商器件封裝：TO-268