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FDD10N20LZTM
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Fairchild仙童公司完整型號(hào):FDD10N20LZTM

制造廠家名稱:Fairchild Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

系列:UniFET?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):7.6A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):360 毫歐 @ 3.8A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):16nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):585pF @ 25V

功率 - 最大值:56W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak)


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