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DMN10H170SVT-13
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Diodes公司完整型號: DMN10H170SVT-13

制造廠家名稱: Diodes Incorporated

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 100V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 2.6A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 160 毫歐 @ 5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 9.7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1167pF @ 25V

功率 - 最大值: 1.2W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-23-6 細型,TSOT-23-6

供應商器件封裝: TSOT-26


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